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半導體硅晶片用測厚儀OZUMA22

半導體硅晶片用測厚儀OZUMA22

產(chǎn)品型號:

所屬分類:超聲波測厚儀

產(chǎn)品時間:2024-09-11

簡要描述:日本sasaki koki半導體硅晶片用測厚儀OZUMA22
半導體(各種材料)的晶片硅Si.GaAs砷化鎵等,玻璃,金屬,化合物等的高精度非接觸式厚度測量(非接觸式厚度測量)

詳細說明:

日本sasaki koki半導體硅晶片用測厚儀OZUMA22


<用途>


半導體(各種材料)的晶片硅Si.GaAs砷化鎵等,玻璃,金屬,化合物等的高精度非接觸式厚度測量(非接觸式厚度測量)


<功能>


1. 1??梢酝ㄟ^空氣背壓法進行非接觸式厚度測量(非接觸式厚度測量),并且不會造成刮擦和污染等損壞
。可以輕松進行高精度的非接觸式厚度測量(非接觸式厚度測量),而無需依賴諸如薄膜和彩色光澤之類的材料
。潮濕時可以進行高精度的非接觸式厚度測量(非接觸式厚度測量)
。即使鏡面透明或半透明,也可以毫無問題地進行高精度的非接觸式厚度測量(非接觸式厚度測量)
。由于使用上下測量噴嘴進行測量,因此
   可以精que地測量“厚度",而不受測量對象“打滑"引起的提升的影響。
 ?。ㄒ部梢赃x擇“滑行"測量(* 1))
6。由于操作簡便,因此可以非常輕松地進行測量和校準(* 2)。

<測量原理>

精que控制上下測量噴嘴的背壓,對噴嘴進行定位,使噴嘴和被測物體之間的間隙保持恒定,并使用預先用基準量規(guī)校準的值進行比較計算處理。對被測物進行測量操作,可以精que計算出厚度。

日本sasaki koki半導體硅晶片用測厚儀OZUMA22

<性能>

  分辨率0.1μm
  重復精度10次重復測量時的標準偏差(1σ)0.3μm以下
  最大測量范圍 10mm(* 3)
  供應能源電源AC100V 50 / 60Hz 3A
            清潔空氣0.4MPa 20NL /分鐘(* 4)




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